申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN200610016709.6 |
公开(公告)号 | CN1844484A | 公开(公告)日 | 2006-10-11 |
公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | ||
简介 | 本发明涉及高强度铸造稀土镁合金微弧氧化处 理方法,具体涉及SJDM-1高强度铸造稀土镁合金微弧氧化 处理方法。具体步骤如下:(1)配制电解液;(2)SJDM-1高强 度铸造稀土镁合金前处理;(3)微弧氧化;(4)SJDM-1高强度 铸造稀土镁合金后处理。本发明的工艺流程简洁,生产效率高, 成本低廉且无尖端放电现象,陶瓷层均匀致密,经分析表明: 陶瓷膜厚度可达10-50um,耐蚀性优良;若反应时间延长至 30-60分钟,则陶瓷膜厚度增加到150μm,能显著提高陶瓷 层表面硬度,即可达500Hv以上。在要求质轻耐蚀的领域中具 有广泛的应用价值。 |
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