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一种半导体照明白光发光二极管荧光粉及其制备方法 发明授权

2023-03-24 2070 475K 0

专利信息

申请日期 2025-06-30 申请号 CN200510071958.0
公开(公告)号 CN1277901C 公开(公告)日 2006-10-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 王锦高
简介 一种半导体照明白光发光二极管荧光粉及其制备方法,涉及一种荧光粉,提供一种发光亮度较高的半导体照明白光发光二极管荧光粉及制备方法。为铈激活的钇铝石榴石荧光粉,其组成为(Y1-xGdx)3(Al1-yGay)5O12 : Cez3+,X为0~0.45mol/mol,Y为0~0.55mol/mol,z为0.06~0.12mol/mol,激活剂包括稀土激活剂Ce3+和其他激活剂。其步骤为选原料,原料纯度4~5N,颗粒度1~2μm;混料后制备前驱体,再混入助熔剂,助熔剂选自BaF2+H3BO3;合成后再后处理,用酸洗、碱洗、水洗洗净;粉碎,过筛,成品测定,发光亮度达同类产品131%以上,流明效率达33~401m/W,已进入半导体照明应用领域。


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