| 申请日期 | 2026-04-18 | 申请号 | CN200610011784.3 |
| 公开（公告）号 | CN1837145A | 公开（公告）日 | 2006-09-27 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种低温烧结的温度稳定型多层陶 瓷电容器介质材料，属于电容器材料技术领域。所述介质材料 由钛酸钡主料和二次添加剂组成，包括 Nb2O5、 Co3O4、或它们的固溶物、ZnO、 B2O3、或它们的化合物、稀土元素和钇中一种或一种以上的氧 化物。在880℃到950℃范围内烧结，晶粒尺寸为100～600nm， 室温介电常数1000～2500，容温变化率≤±15％，室温介电损 耗小于2％，绝缘电阻率大于 1011Ω·cm，满足X7R及X8R 性能要求。当烧结温度低于900℃时，使用纯银作为MLCC的 内电极，可大幅度降低多层陶瓷电容器的成本。该材料适用于 薄层、纯银内电极多层陶瓷片式电容器的制造，具有广阔的发 展前景。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
