| 申请日期 | 2025-07-17 | 申请号 | CN201810928717.0 |
| 公开（公告）号 | CN108950688A | 公开（公告）日 | 2018-12-07 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种激光晶体，尤其是涉及一种具有良好压电和磁光性能的土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体及其制备方法。一种稀土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体，其摩尔百分比组成为：Tb4O662～73mol％、Ga3O354～71mol％、SiO282～92mol％和Pr 4.5‑10mol％、Ce 2.3‑10mol％、Sc1.4‑10mol％、Er1.9‑10mol％、Dy1‑10 mol％中的一种或几种构成的掺杂Tb3Ga5SiO14激光晶体。其制备方法通过(1)配置初始原料→(2)单晶生长→(3)晶体退火→得到稀土离子掺杂Tb3Ga5SiO14激光晶体。本发明提供了一种稀土离子掺杂硅酸镓铽激光晶体及其生长方法，获得了其激光特性和压电特性，并在光电、激光、通信领域中具有重要的应用前景，同时参杂的硅酸镓铽晶体具有优良的磁光性能，同时可以在光纤隔离器中使用，特别是大功率的光纤隔离器。 | ||
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