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Bi类电介质薄膜形成用涂布液以及Bi类电介质薄膜 发明申请

2023-10-21 4930 2117K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN200510053758.2
公开(公告)号 CN1830811A 公开(公告)日 2006-09-13
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 东京应化工业株式会社
简介 本发明公开了一种涂布液,是含有式{Bi4-x、(Laz、B1-z)x}n(Ti3-y、Ay)O12+α(式中,A表示Ge等金属元素,B表示除了镧以外的稀土元素、Ca、Sr等金属元素,0≤x<4、0≤y≤0.3、0<z≤1,n=0.7~1.4,α为由金属组成比决定的数值)所表示的复合金属氧化物的、常介电性或者强介电性的Bi类电介质薄膜形成用涂布液,其特征为,含有至少由Bi、Ti 2种金属醇盐形成的复合金属醇盐,该涂布液优选为用水、或水和催化剂进行水解·部分缩合处理而得到的溶胶-凝胶液,并且优选在其中配合链烷醇胺。通过本发明可提供一种能够根据半导体存储器的用途,用于形成常介电性或者强介电性Bi类电介质薄膜的涂布液。


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