| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN200610024095.6 |
| 公开（公告）号 | CN1831084A | 公开（公告）日 | 2006-09-13 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | ||
| 简介 | 一种用作GaInN基蓝光半导体外延生长的掺稀 土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法。该掺稀土元素的氧 化镓荧光衬底单晶体的分子式为：β－Ga2－ 2x (RE) 2xO3，其中RE ＝Ce或Tm，x＝0.001～0.1。该晶体采用浮区法进行生长。该 荧光衬底适合于外延生长高质量GaInN基蓝光半导体薄膜，与 GaInN基蓝光相结合能实现发光二极管的白光发射。 | ||
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