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用于半导体工业的氢化物气体纯化方法 发明申请

2023-02-18 3540 1233K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CN200480021274.3
公开(公告)号 CN1826167A 公开(公告)日 2006-08-30
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 安格斯公司
简介 本发明公开了一种纯化(purification)氢化物气体 的方法,其使用至少具有一种镧系金属或镧系金属氧化物的材 料。该方法使污染物降低至100ppb,优选10ppb,更优选1ppb。 所述材料还包括过渡金属和过渡金属氧化物、稀土元素和其它 金属氧化物。本发明还包括在本发明方法中使用的材料。


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