| 申请日期 | 2025-09-19 | 申请号 | CN200480021078.6 |
| 公开（公告）号 | CN1826424A | 公开（公告）日 | 2006-08-30 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 希莫菲克斯公司 | ||
| 简介 | 通过脉冲DC偏压反应溅射法从含钛靶沉积高密 度氧化膜，以形成高质量含钛氧化膜。根据本发明形成钛基层 或膜的方法包括通过脉冲DC偏压反应溅射法在衬底沉积含钛 氧化物层。在一些实施方案中，所述层是 TiO2。在一些实施方案中，所述 层是钛低氧化物。在一些实施方案中，所述层是 TixOy，其中x在约1和约4之间，并且y在约1和约7之间。 在一些实施方案中，可以将所述层掺杂一种或多种稀土离子。 这样的层可用于能量和电荷储存以及能量转换技术。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
