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Hydride gas purification for the semiconductor industry 发明申请

2022-12-23 1980 857K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 US10565353
公开(公告)号 US20060188420A1 公开(公告)日 2006-08-24
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 ALVAREZ DANIEL JR; SPIEGELMAN JEFFREY J; COOK JOSHUA T; NGUYEN TRAM D; LEV DANIEL A; SCOGGINS TROY B
简介 A method for hydride gas purification uses materials having at least one lanthanide metal or lanthanide metal oxide. The method reduces contaminants to less than 100 parts per billion (ppb), preferably 10 ppb, more preferably 1 ppb. The material can also include transition metals and transition metal oxides, rare earth elements and other metal oxides. The invention also includes materials for use in the method of the invention.


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