| 申请日期 | 2025-09-11 | 申请号 | CN200510104699.7 |
| 公开（公告）号 | CN1821136A | 公开（公告）日 | 2006-08-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | ||
| 简介 | 提供一种由含选自稀土元素中的至少一种稀土 元素的氧化镁制成的保护层，其中至少一种稀土元素的含量为 约5.0×10－5－约6.0× 10－4/1重量份氧化镁，用于形成 该保护层的复合物，形成该保护层的方法和含有该保护层的等 离子体显示面板。该保护层可以降低放电延迟时间和放电延迟 时间的温度依赖性，因此，适合于单扫描以及Xe含量的增加。 | ||
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