| 申请日期 | 2026-04-23 | 申请号 | TW094104188 |
| 公开（公告）号 | TW200629363A | 公开（公告）日 | 2006-08-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 艾匹泰堤克斯私人有限公司 | ||
| 简介 | 本发明概有关於积体电路。更具言之，本发明系提供一种包含GaAs基材之MIS(金属／绝缘体／半导体)异质接面二极电晶体(HBT)的制造方法和结构，其具有一集极区；一基极层连接於该集极区；一超薄绝缘绝缘层包含一稀土氧化物连接於该基极层；及一射极结构包含多数的金属层连接於该超薄绝缘层。 | ||
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