| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN200510048315.4 |
| 公开（公告）号 | CN1810707A | 公开（公告）日 | 2006-08-02 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 电子科技大学 | ||
| 简介 | 纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电 容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域，特 别涉及一种电容器陶瓷材料。本发明所制备的掺杂剂的尺寸达 纳米级，成本低，均匀性好。本发明解决所述技术问题采用的 技术方案是，提供一种纳米级陶瓷材料掺杂剂，其主成分为包 含以下元素的复合氧化物：aSi+bA+cD+dR，其中，A代表受 主元素，至少包括Mg、Mn之一；D代表V、Gd、Sm、Nd、 Pr中的一种或多种：R代表稀土元素，包括Ho、Dy、Y、Yb、 Er其中之一种或多种；其中，a、b、c、d是系数，以mole比 计算，10％≤a≤70％，10％≤b≤40％，10％≤c≤40％，10 ％≤d≤40％。 | ||
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