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Doped semiconductor powder and preparation thereof 发明授权

2022-12-27 4210 673K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 US10761275
公开(公告)号 US7081664B2 公开(公告)日 2006-07-25
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Steven E Hill
简介 The invention provides a doped semiconductor powder comprising nanocrystals of a group IV semiconductor and a rare earth element, the rare earth element being dispersed on the surface of the group IV semiconductor nanocrystals. The invention also provides processes for the preparation of the above doped semiconductor powder, and a composite material comprising a matrix in which is dispersed a doped semiconductor powder.


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