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R-T-B系永磁体 发明申请

2023-01-01 2730 1931K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN200480015078.5
公开(公告)号 CN1799111A 公开(公告)日 2006-07-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 TDK株式会社
简介 一种R-T-B系永磁体(1),其具有磁体基体(2)和包覆在磁体基体(2)表面上的保护膜(3),所述磁体基体(2)由至少含有主相和晶界相的烧结体构成,而且在其表层部形成有富氢层(21),该富氢层(21)中氢浓度达300ppm或以上的厚度为300μm或以下(不含0μm),其中所述主相由R2T14B晶粒(其中,R为稀土类元素的1种、2种或更多种,T为以Fe或者Fe和Co为必须成分的1种、2种或更多种的过渡金属元素)构成,所述晶界相比该主相含有更多的R。根据该R-T-B系永磁体(1),其不使磁特性退化而能够使形成有保护膜(3)的R-T-B系永磁体(1)的耐蚀性得以提高。另外,对采用电镀方法进行的保护膜(3)的形成也可能适用,且生产效率几乎不会降低,能够充分确保作为形成保护膜(3)的本来目的的耐蚀性。再者,能够提供表面部分的局部损坏(颗粒脱落)受到抑制、尺寸精度较高的R-T-B系永磁体(1)。


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