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介电质陶瓷、介电质陶瓷之制造方法、及积层陶瓷电容器 发明申请

2023-03-13 4490 3099K 0

专利信息

申请日期 2025-09-12 申请号 TW094129399
公开(公告)号 TW200621672A 公开(公告)日 2006-07-01
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 村田制作所股份有限公司
简介 本发明之介电质陶瓷系以(Ba, Ca)(Ti, X)O@#3(其中,X为化合价大於Ti之元素)为主成分,第1至第3添加成分相对於100莫耳主成分,分别含有0.1至0.4莫耳。第1添加成分包含特定稀土族元素,第2添加成分包含化合价小於Ti之特定元素,第3添加成分包含含有Si之助烧结剂。主成分粒子1中90%以上,表示各添加成分2於主成分粒子1中处於固溶状态下之固溶率总和,以截面率表示为10%以下。Ca之添加莫耳比为O至0.20(较好的是0.02至0.20),B部位中元素X之添加莫耳比y为0.0001至0.005。藉此,即使将介电质层薄层化至1至3μm左右,亦可具有较高比介电常数,且不会损害电容之温度特性,故可获得良好绝缘性或高温负荷寿命。


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