| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN200610011115.6 |
| 公开（公告）号 | CN1793043A | 公开（公告）日 | 2006-06-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种高性能热处理氮化硅陶瓷及其 制备方法，属于陶瓷材料技术领域。本发明以氮化硅粉末和一 定量的单一稀土氧化物添加剂为原料，混合均匀后成型，烧结 使其致密化，再对其进行烧结后热处理。所述氮化硅陶瓷含有 α相氮化硅粉末和单一稀土氧化物添加剂，所述α相氮化硅粉 末的重量百分比为80～95％，所述单一稀土氧化物添加剂的重 量百分比为5～20％。这种材料在完全没有添加预制的β－ Si3N4晶种的情况下不但具有很高的室温强度而且在高温下其 强度也很高，是一种制作轧辊，涡轮转子，燃烧室内壁，轴承， 切割刀具，阀门，热处理夹具等零部件理想的高温结构材料， 可广泛应用于冶金，化工，机械，航天及军事领域。 | ||
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