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SPIN-CURRENT SWITCHABLE MAGNETIC MEMORY ELEMENT AND METHOD OF FABRICATING THE MEMORY ELEMENT 发明申请

2023-03-29 1670 348K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 WOUS05028759
公开(公告)号 WO2006055062A1 公开(公告)日 2006-05-26
公开国别 WO 申请人省市代码 全国
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
简介 A spin-current switchable magnetic memory element (and method of fabricating the memory element) includes a plurality of magnetic layers having a perpendicular magnetic anisotropy component, at least one of the plurality of magnetic layers including an alloy of a rare-earth metal and a transition metal, and at least one barrier layer formed adjacent to at least one of the plurality of magnetic layers.


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