| 申请日期 | 2025-08-25 | 申请号 | WOJP05020185 |
| 公开（公告）号 | WO2006051730A1 | 公开（公告）日 | 2006-05-18 |
| 公开国别 | WO | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | SHIN ETSU HANDOTAI CO LTD; YOKOKAWA Isao; AGA Hiroji; MITANI Kiyoshi | ||
| 简介 | A method for producing a semiconductor wafer in which an Si1-XGeX layer (0 | ||
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