| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN200410088508.8 |
| 公开（公告）号 | CN1769181A | 公开（公告）日 | 2006-05-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | ||
| 简介 | 本发明单相钆硅化合物以及制备方法，涉及稀土 硅化物材料。一种单相钆硅化合物，是在硅衬底上制备的钆硅 化合物薄膜材料，其中仅含有正交的钆二硅 (GdSi2)相，是单晶形式或是多晶 的形式。其制备方法，包括以下步骤：(1)选择适当的半导体衬 底；(2)用具有质量分析功能的低能离子束设备，以离子束外延、 分子束外延或激光淀积方法，根据需要在半导体衬底上进行材 料生长；(3)在第二步中，材料生长时，使用单束钆源或使用双 束的钆源和硅源，在半导体衬底上生长单相的钆二硅薄膜。 | ||
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