| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN200310109804.7 |
| 公开（公告）号 | CN1253592C | 公开（公告）日 | 2006-04-26 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 包头稀土研究院 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种含铽多晶Ni-Mn-Ga磁性形状记忆合金，其特征是合金成份为Ni-Mn-Ga-Tb，其中：Ni的成分范围为45-55at％，Mn为18-32at％，Ga为16-32at％，Tb为0.01-5at％。其优点是通过添加稀土元素Tb，使材料的抗弯强度提高2-6倍，同时使材料的晶粒得到细化。在特定应力状态下材料的磁感生应变可达6000-12000ppm。材料的可加工性能大大提高，实用性增强。 | ||
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