| 申请日期 | 2025-07-13 | 申请号 | CN200420118309.2 |
| 公开（公告）号 | CN2772033Y | 公开（公告）日 | 2006-04-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | ||
| 简介 | 本实用新型是揭示一种半导体组件。其利用一高 温超导(High Tempera ture Surperconductor，HTS)层与一典型的 扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜(或其它金属)导线 之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元素，而该 稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形成其它半 导体电路或组件，可于沉积一介电覆盖层前，沉积一高温超导 材料覆盖层于导线上。本实用新型亦揭示将高温超导体填充于 极微小的孔隙或沟槽内以形成联机。 | ||
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