| 申请日期 | 2025-07-22 | 申请号 | TW092115303 |
| 公开（公告）号 | TWI252521B | 公开（公告）日 | 2006-04-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | ||
| 简介 | 采用透射光线之IV族系半导体III-V族系化合物半导体或II-VI族系化合物半导体，可得稳定的铁磁性特性。於IV族系半导体、III-V族半导体系化合物半导体、或 II-VI族系化合物半导体内，使含有由Ce、Pr、Nd、Pm、 Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu之稀土类金属元素而成的群体选出的至少一种金属。因此由此等稀土类金属浓度之调整及由此等稀土类金属之2种以上的金属之组合，由p型及n型掺杂剂之添加等，可调整铁磁性特性。 | ||
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