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多孔Si3N4及其制备方法 发明授权

2023-01-22 3670 893K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN200410001478.2
公开(公告)号 CN1247488C 公开(公告)日 2006-03-29
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 住友电气工业株式会社
简介 本发明提供一种多孔Si3N4制备方法,所述多孔Si3N4具有高气孔率、并且具有纵横比高的Si3N4粒子,该法具有下列工序:混合工序,把Si粉末和作为第一烧结助剂的至少1种稀土类元素化合物粉末加以混合,得到混合粉末,其中,对Si粉末100质量份,稀土类元素化合物换算成氧化物达到7.5~45质量份;添加工序,往该混合粉末中添加粘合剂;成型工序,用该混合粉末和粘合剂的混合物制造成型制品的成型工序;脱粘合剂工序,把该成型制品在氮氛围气中加热到300~500℃,除去粘含剂而形成脱粘合剂体;氮化工序,把该脱粘合剂体在氮氛围气中加热到1350~1500℃,进行氮化而制作氮化体;烧结工序,把该氮化体于1750~1900℃的温度在0.1~1个大气压的氮气中进行烧结。


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