| 申请日期 | 2025-08-18 | 申请号 | CN200410037963.5 |
| 公开（公告）号 | CN1246253C | 公开（公告）日 | 2006-03-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了属无机非金属材料制备技术领域的一种氮化硅陶瓷制造方法。是以稀土化合物为烧结助剂；采用放电等离子烧结工艺在真空中烧结成氮化硅陶瓷，再在氮气气氛中在高温条件下对氮化硅陶瓷进行加热处理，制造出同时具有高热导率和高强度的氮化硅陶瓷。本方法具有升温速度快、烧结时间短、烧结组织均匀细小的特点，并且可以净化氮化硅晶粒，提高热导率。 | ||
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