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磁记录介质及其制造方法、和磁记录介质的记录再生方法 发明申请

2023-11-17 1550 2258K 0

专利信息

申请日期 2026-04-27 申请号 CN200510084537.1
公开(公告)号 CN1734567A 公开(公告)日 2006-02-15
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 松下电器产业株式会社
简介 提供一种在盘基板(11)上,至少具备记录层(15), 记录层(15)与氢结合,具有与稀土类金属局部存在后稳定的结 合状态的构成之磁光记录介质及其制造方法。由此,通过增大 记录层(15)的磁各向异性,可形成稳定的膜结构,由此在减小 标记长度的情况下,也可使记录磁区稳定,不使再生信号振幅 下降,可大幅度提高记录密度。解决了在高密度记录的情况下, 具有难以稳定形成微小记录磁区的课题。


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