| 申请日期 | 2025-07-31 | 申请号 | CN03110867.9 |
| 公开（公告）号 | CN1236103C | 公开（公告）日 | 2006-01-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | ||
| 简介 | 本发明属于光电子材料技术领域，是一种用溶胶-凝胶法制氮化镓纳米薄膜的方法。本发明利用第三主族元素的两性现象，用强碱，像NaOH，或KOH等，把GaO溶解。再利用酸，像HNO3，HF等，重新沉积出Ga(OH)3凝胶，然后加入NH4F形成了GaN材料的前驱体。将稀土或过渡金属离子掺入前驱体(NH4)3GaF6中。为利用甩胶技术或印刷方法制膜，再加入一些高分子增稠剂，如聚乙二醇400、聚氧乙烯等，以保证前驱体溶液的粘度。最后把形成的GaN材料的前驱体在烘箱中烘干后，在NH3气氛下，900℃就能够获得纳米级的GaN。本发明与分子束外延和有机分子气相外延制备GaN晶体和薄膜材料相比，具有工艺过程简单、制备成本低等优点。 | ||
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