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一类氟硅酸盐晶体及其制备方法和用途 发明申请

2023-12-16 4450 439K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN200410071561.7
公开(公告)号 CN1718872A 公开(公告)日 2006-01-11
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院福建物质结构研究所
简介 一类氟硅酸盐晶体及其制备方法和用途,涉及功 能晶体材料领域。其中M为碱土金属或二价过渡金属元素中 某一元素或若干元素的组合,R为稀土或三价过渡金属元素中 某一元素或若干元素的组合。该类晶体通过适量掺杂某种过渡 族或稀土元素作为激活离子替代晶体中的 R3+离子便成为激光晶体,特别 适合应用于半导体激光泵浦的固体激光器,有利于输出可调谐 和超短脉冲激光。


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