| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | TW093114305 |
| 公开（公告）号 | TWI246711B | 公开（公告）日 | 2006-01-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 夏普股份有限公司 | ||
| 简介 | 在此提供为一种控制记忆材料电阻性质用之记忆单元及方法。该方法包含：形成水锰矿；使该水锰矿在氧气环境中退火；因应该退火作用而控制水锰矿中的氧含量；以及，透过该水锰矿因应该氧含量而控制电阻。该水锰矿系具有通式RE1-xAExMnOy的钙钛矿型氧化锰，式中RE系稀土离子且AE系硷土离子，而x系介於0.1与0.5之间。控制水锰矿中的氧含量包括形成富含氧的 RE1-xAExMnOy区域，式中y大於3。低电阻可产生富含氧的水锰矿区域。若y小於3，就会形成高电阻。更明确地说，该方法可形成毗邻贫氧的高电阻水锰矿区域之低电阻富含氧的水锰矿区域。 | ||
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