| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN200310101500.6 |
| 公开（公告）号 | CN1234133C | 公开（公告）日 | 2005-12-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 特瓦薄膜技术有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种在基材(1a，1b)上制备高温超导层的方法，该方法包括以下步骤：以低生长速率沉积RBa2Cu3O7-层(2)，其中R表示钇，一种稀土族(原子序号57-71)元素或这些元素的两种或多种的混合物，和以高生长速率向RBa2Cu3O7-层(2)上沉积XBa2Cu3O7-层(3)，其中X表示钇，一种稀土族(原子序号57-71)元素或这些元素的两种或多种的混合物。优选地，低生长速率为＜1nm/s并且高生长速率为＞1nm/s，优选为＞2nm/s，并且优选向至少双轴织构的基材(1a)或具有至少双轴织构的缓冲层(1b)的基材上沉积RBa2Cu3O7-层(2)。 | ||
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