| 申请日期 | 2026-03-24 | 申请号 | CN201810617003.8 |
| 公开（公告）号 | CN108864211A | 公开（公告）日 | 2018-11-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及基于酞菁的Ni(II)‑Ln(III)中性异双核配合物及其制备方法。本发明所述配合物的化学式为[(NiL)Ln(Pc)(CH3OH)]，其中Ln为稀土离子Dy(III)或者Tb(III)；L为1, 1, 1‑三[(亚水杨基氨基)甲基]乙烷的三价阴离子；Pc为酞菁分子的二价阴离子。配合物采用分步合成、室温溶剂扩散方法制备，本方法简单易行、可控性高、重复性强。所制备的配合物中有较强的铁磁相互作用，其交流磁化率在外加磁场存在时呈现出明显的频率依赖现象，具有单分子磁体的慢弛豫特征，可作为分子基磁性材料在高密度信息存储设备使用。 | ||
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