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光记录介质 发明授权

2023-11-08 4320 433K 0

专利信息

申请日期 2025-07-11 申请号 CN03138138.3
公开(公告)号 CN1230816C 公开(公告)日 2005-12-07
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 TDK股份有限公司
简介 本发明的主要目的是提供由除硫族之外的其它元素形成相变型记录层这样一个以全新概念为基础而构成的光记录介质。本发明为具有利用非晶相和结晶相之间可逆的相变的相变型记录层(5)的光记录介质,上述记录层(5)含有作为主成分的Sb,同时含有作为副成分的选自除VIb族以外的其它族及稀土类金属的至少1种元素。该情况下,上述副成分以选自Mn及Ge的至少1种元素为宜。


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