| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN200410094244.7 |
| 公开（公告）号 | CN1697195A | 公开（公告）日 | 2005-11-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | ||
| 简介 | 一种存储器件10具有如下的结构，其中，存储 器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间，该存储器薄膜4至 少包含稀土元素，该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层 3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素，而且该存储器薄 膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的 任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息，并且 该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
