| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | TW094107016 |
| 公开（公告）号 | TW200536785A | 公开（公告）日 | 2005-11-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 东京应化工业股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明为揭示一种形成常介电性或强介电性之铋系介电体薄膜用之涂布液，其为含有式｛Bi4–x、(Laz、B1–z)x｝n(Ti3–y、Ay)O12＋α(式中，A为Ge等金属元素，B为不包含镧之稀土族元素、Ca、Sr等金属元素，0≦x＜4，0≦y≦0.3，0＜z≦1，n为0.7至1.4，α为依金属组成比例决定之价数)所示之复合金属氧化物，其含有至少由Bi、Ti等2种烷氧金属所形成之复合烷氧金属；较佳者为，该涂布液为可使用水、或水与触媒进行水解–部分缩合处理之溶胶–凝胶液，其较佳可再添加烷醇胺。本发明之可配合半导体记忆体之用途，显示出常介电性或强介电性性质，而提供形成铋系介电体薄膜之涂布液。 | ||
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