| 申请日期 | 2026-04-25 | 申请号 | CN201710331737.5 |
| 公开（公告）号 | CN108866629A | 公开（公告）日 | 2018-11-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种掺杂稀土元素的III族氮化物单晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括：掺杂稀土元素的III族氮化物多晶、III族氮化物籽晶在超临界态的氨中，以及400～750℃、150MPa～600Mpa的条件下获得所述掺杂稀土元素的III族氮化物单晶。本发明提供的方法使用高纯的掺杂多晶为原料，在矿化剂的作用下多晶原料溶解后，掺杂稀土元素与氨基及B、Al，Ga，In等III族元素形成络合物，由于存在不同温区，不同温区的饱和浓度不同，在浓度梯度的驱动下络合物输运到籽晶处析出结晶，所述氨热法的生长条件为近热力学平衡，晶体生长界面与溶液处的温度梯度接近于零，生长过程中不易产生裂纹，且可以生长出位错密度较低的体单晶。 | ||
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