| 申请日期 | 2025-07-20 | 申请号 | CN03824898.0 |
| 公开（公告）号 | CN1695229A | 公开（公告）日 | 2005-11-09 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 马特森技术公司 | ||
| 简介 | 公开了一种用于在热处理室中加热半导体晶片 的方法和设备。该设备包括非接触测温系统，该非接触测温系 统利用诸如高温计的辐射探测装置在处理期间判决晶片的温 度。该辐射探测装置通过监视晶片在特定波长处发射的辐射量 判决晶片的温度。根据本发明，该设备中包括光谱过滤器，用 于过滤灯在辐射探测装置的工作波长处发射的光，该灯用于加 热晶片。该光谱过滤器包括光吸收剂，例如稀土元素、稀土元 素的氧化物、光吸收染料、金属或半导体材料。 | ||
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