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萤光体薄膜、其制造方法及EL面板 发明授权

2023-03-22 1920 3196K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 TW092106790
公开(公告)号 TWI242037B 公开(公告)日 2005-10-21
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 卫斯坦公司
简介 本发明之目的在於提供一种应答性优、色纯度良好、且可实现高辉度发光之可实现发光元件的萤光体薄膜、及具备其之EL面板。本发明之具备萤光体薄膜的EL面板的构成系於基板上具备一依序积层:下部电极、绝缘层、EL萤光体积层薄膜及上部电极。EL萤光体积层薄膜系本质上以镓酸镁所构成之母体材料中掺杂稀土族元素而构成之萤光体薄膜两侧形成缓冲薄膜、进一步於其两侧形成电子注入薄膜。


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