| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN03813072.6 |
| 公开（公告）号 | CN1659664A | 公开（公告）日 | 2005-08-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | ||
| 简介 | 采用透射光线的IV族系半导体III－V族系化合 物半导体或II－VI族系化合物半导体，可得稳定的铁磁性特 性。于IV族系半导体、III－V族半导体系化合物半导体、或 II－VI族系化合物半导体内，使含有由Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、 Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu的稀土类金属元素 而成的群体选出的至少一种金属。因此由此等稀土类金属浓度 的调整及由此等稀土类金属的2种以上的金属的组合，由p型 及n型掺杂剂记的添加等，可调整铁磁性特性。 | ||
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