| 申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | CN03811443.7 |
| 公开（公告）号 | CN1656607A | 公开（公告）日 | 2005-08-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 三星电子株式会社; 独立行政法人产业技术总合研究所 | ||
| 简介 | 提供使用通过加热引发的化学反应和扩散制造 化合物半导体和化合物绝缘体的方法，使用该方法形成的化合 物半导体和化合物绝缘体，以及包括该化 合物半导体或化合物绝缘体的光电池、电子电路、晶体管和存 储器。制造化合物半导体或化合物绝缘体的该方法包括：形成 叠层结构，其包括置于含氧和/或硫的电介质层之间的对氧和/ 或硫是高度活性的稀土过渡金属中间层；以及加热该叠层结 构，从而在电介质层与中间层之间引发化学反应和扩散，其中 为了化合物半导体和化合物绝缘体，在不同温度下进行该加 热。 | ||
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