| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | TW092119450 |
| 公开（公告）号 | TWI235430B | 公开（公告）日 | 2005-07-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 东芝股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种半导体装置，其特徵为具备：; 基板；及; 缓冲层，其系由形成於前述基板上之单结晶半导体所构成；及; 应变 Si 层，其系形成於前述缓冲层上，与前述缓冲层之格子常数不同；及; 单结晶的绝缘膜，其系形成於前述应变 Si 层，前述单结晶的绝缘膜系由与 Si 之格子常数不同的稀土族构造之材料所构成；及; 电极，其系形成於前述绝缘膜上。 | ||
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