| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | CN200410080824.0 |
| 公开（公告）号 | CN1627515A | 公开（公告）日 | 2005-06-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明是揭示一种半导体组件及其制作方法。其 利用一高温超导(High Temperature Surperconductor，HTS)层与 一典型的扩散层组合，其中该扩散层于介电材料与铜(或其它金 属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元 素，而该稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形 成其它半导体电路或组件，可于沉积一介电覆盖层前，沉积一 高温超导材料覆盖层于导线上。本发明亦揭示将高温超导体填 充于极微小的孔隙或沟槽内以形成联机。 | ||
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