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一种恒磁场下晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法 发明申请

2023-11-10 2480 278K 0

专利信息

申请日期 2026-04-27 申请号 CN201810987694.0
公开(公告)号 CN108831658A 公开(公告)日 2018-11-16
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国计量大学; 浙江中科磁业有限公司
简介 本发明公开了一种恒磁场下晶界扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法,包括:按照NdFeB合金成分配料,真空熔炼获得合金铸锭并快淬成薄带;按照稀土三元Re‑Al‑Cu合金成分配料,真空熔炼获得母合金铸锭并快淬成薄带,并经高能球磨获得均匀的低熔点稀土三元Re‑Al‑Cu纳米粉末;将Re‑Al‑Cu纳米粉末涂覆在NdFeB合金薄带的自由面和急冷面;将薄带合金平行置于在磁场强度为1.5T的恒磁场退火炉中,进行真空磁场热处理。本发明以低熔点稀土三元Re‑Al‑Cu纳米合金为扩散源,并通过在恒磁场作用下对NdFeB合金扩散热处理,促使NdFeB合金中的硬磁相沿易磁化轴排列,改善了钕铁硼磁体扩散后的晶界特性。


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