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介电陶瓷及其制造和评价方法, 及单片陶瓷电子元件 发明授权

2023-03-26 4280 1215K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN02107594.8
公开(公告)号 CN1201339C 公开(公告)日 2005-05-11
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社村田制作所
简介 介电陶瓷,它具有陶瓷结构,由晶体颗粒和晶体颗粒之间的颗粒边界组成。所述晶体颗粒包括由结构式ABO3表示的主要成分和含稀土元素的添加剂,其中A是钡、钙和锶中的至少一种,钡作为基本的元素;B是钛、锆和铪中的至少一种,钛作为基本的元素。晶体颗粒内部平均稀土元素的浓度约为颗粒边界处平均稀土元素浓度的50%或更小。并且大约20%-70%的晶体颗粒在晶体颗粒中央的稀土元素浓度至少是从表面向内延伸距离相当于约5%晶体颗粒直径的区域内的最大稀土元素浓度的约1/50。


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