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磁光效应光子晶体光纤及其制造方法 发明申请

2023-02-11 1940 533K 0

专利信息

申请日期 2026-03-11 申请号 CN200410084284.3
公开(公告)号 CN1605894A 公开(公告)日 2005-04-13
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海大学
简介 本发明述及一种磁光效应光子晶体光纤及其制 造方法。本光纤,由纤芯、气孔包层和保护层组成,纤芯的材 料由纯石英掺杂增大折射率的 GeO2和增加法拉第磁光效应的 稀土Tb3+、 Al3+离子组成;气孔包层的材料 是由对称六角形规则排列的光子晶体结构毛细石英管组成毛 细管包层,而保护层为支撑石英管。本光纤的制备分以下三个 关键步骤:一是掺杂铽稀土元素光纤芯棒的制作;二是光纤预 制棒的制作;三是磁光效应光子晶体光纤的拉制。本发明的磁 光效应光子晶体光纤,解决一直困扰人们的光纤磁光效应低、 温度敏感性大的难点问题。该光纤不仅提高磁光效应的Verdet 常数(大于1.3×10-5rad/A),而 且,还使它的热稳定性比常规掺铽光纤提高一到两个数量级。 本发明的磁光效应光子晶体光纤可广泛应用于光纤通信领域 的磁光隔离器、磁光调制器、磁光开关等磁光器件,以及光纤 传感领域的光纤电流互感器、光纤磁场传感器等的传感光纤。


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