| 申请日期 | 2025-07-10 | 申请号 | CN200410037963.5 |
| 公开（公告）号 | CN1597614A | 公开（公告）日 | 2005-03-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了属无机非金属材料制备技术领域 的一种高热导率、高强度氮化硅陶瓷制造方法。是以稀土化合 物为烧结助剂；采用放电等离子烧结工艺在真空中烧结成氮化 硅陶瓷，再在氮气气氛中在高温条件下对氮化硅陶瓷进行加热 处理，制造出同时具有高热导率和高强度的氮化硅陶瓷。本方 法具有升温速度快、烧结时间短、烧结组织均匀细小的特点， 并且可以净化氮化硅晶粒，提高热导率。 | ||
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