客服热线:18202992950

氮化硅粉、其烧结体、基板、及由此的电路板和热电元件模块 发明授权

2023-07-23 2250 2276K 0

专利信息

申请日期 2025-07-01 申请号 CN01137963.4
公开(公告)号 CN1192989C 公开(公告)日 2005-03-16
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日立金属株式会社
简介 本文涉及氮化硅粉、其烧结体、基板以及含该基板的电路板和热元件模块。含有Mg和从La、Y、Gd以及Yb组成的一组中选择的至少一种稀土类元素,在将Mg换算为MgO,将稀土类元素换算为稀土类氧化物(RExOy)时,上述元素的氧化物换算含量的总计为0.6~7重量%的氮化硅烧结体。氮化硅烧结体是把β比率为30~100%、含氧量小于0.5重量%、平均粒径为0.2~10μm、长宽比小于10的第1氮化硅粉末1~50重量分和平均粒径为0.2~4μm的α型第2氮化硅粉末99~50重量分,在1, 800℃以上的温度以及5个大气压以上压力的氮气氛中烧结制造的。


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4