介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩及其制备方法

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本发明属于结构功能陶瓷材料领域，具体的涉及一种介电常数可调控的轻质氮化硅天线罩及其制备方法。以质量分数计，原料组成如下：氮化硅粉体70～95％，碳化硅粉体0～10％，造孔剂0～25％和稀土氧化物粉体3～15％。本发明利用冷等静压成型，通过控制成型压力和造孔剂含量，可实现素坯密度的控制，更容易实现复杂薄壁结构天线罩的均匀性、一致性控制；SiC与Si3N4的热学、力学等性能接近且不发生物理化学反应，经氧化处理后SiC表面被SiO2包覆，可使材料介电常数大幅提升，介电损耗小幅变化，因此适量SiO2包覆SiC的引入可作为高介电常数组分使用。