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包含极性基质和金属掺杂剂的n型掺杂半导体材料

2025-07-29 18:083970下载
文件类型:PDF文档
文件大小:2152K
本发明涉及一种半导体材料,其包含(i)基本上元素形式的正电性元素,其选自碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属,和(ii)至少一种第一化合物,其为包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团的化合物;制造所述半导体材料的方法;包括阴极、阳极和所述半导体材料的电子器件。


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