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本发明涉及一种半导体材料,其包含(i)基本上元素形式的正电性元素,其选自碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属,和(ii)至少一种第一化合物,其为包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团的化合物;制造所述半导体材料的方法;包括阴极、阳极和所述半导体材料的电子器件。
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