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具有化学障壁之基板上磊晶成长之结构

2025-06-21 07:002390下载
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文件大小:2060K
一種結構可包括基板層、稀土金屬氧化物障壁層以及第三族層,基板層具有介面且介面具有載子濃度,稀土金屬氧化物障壁層成長於基板層之上,而第三族層成長於稀土金屬氧化物障壁層之上。介面中的載子濃度數量級大於塊材載子濃度數量級而彼此不同。稀土金屬氧化物障壁層可包括稀土金屬氧化物材料,並可防止第三族成分擴散至基板層。第三族層可包括第三族元素


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