磁性记忆体

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本发明提供一种写入效率得到改善之SOT写入方式之磁性记忆体 本实施形态之磁性记忆体具备：第1至第3端子；导电性之第1非磁性层，其具有第1至第3部分，上述第1部分位於上述第2部分与上述第3部分之间，上述第2部分与上述第1端子电性连接，上述第3部分与上述第2端子电性连接；第1磁阻元件，其具有与上述第3端子电性连接之第1磁性层、配置於上述第1磁性层与上述第1部分之间之第2磁性层、及配置於上述第1磁性层与上述第2磁性层之间之第2非磁性层；及第1层，其至少配置於上述第1部分与上述第2磁性层之间，含有Mg、Al、Si、Hf及稀土类元素中之至少一种元素、以及氧及氮中之至少一种元素