电子半导体元件及其制备方法

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本发明是关於一种电子装置及其制备方法，该电子装置在一第一电极和一第二电极之间包括至少一第一电洞传输层，其中该第一电洞传输层包括： (i) 至少一第一电洞传输基质化合物，其由共价键结的原子所组成；以及 (ii) 选自金属盐及选自电中性金属错合物之至少一电性p-掺杂物，该至少一电性p-掺杂物包括一金属阳离子与至少一个阴离子及/或至少一个阴离子配位基，该阴离子配位基是由至少四个共价键结的原子所组成， 其中该电性p-掺杂物的金属阳离子是选自： 硷金属； 硷土金属、Pb、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Cd； 氧化态(II)或(III)的稀土金属； Al、Ga、In；及选自 氧化态(IV)或更低的Sn、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo与W； 前提是排除： a) 包括具有一般式(Ia)或(Ib) 的阴离子配位基或阴离子之p-掺杂物， 其中 A 1 、A 2 、A 3 和A 4 独立地选自CO、SO2或POR 1 ； R 1 =吸电子基团，该吸电子基团选自包含卤化物、腈、卤化或全卤化的C1至C20烷基、卤化或全卤化的C6至C20芳基、或具有5至20个成环原子的卤化或全卤化的杂芳基之群组； B 1 、B 2 、B 3 和B 4 相同或独立地选自取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C1至C20杂烷基、取代或未取代的C6至C20芳基、取代或未取代的C5至C20杂芳基，或是B1和B2形成一个环；及 b) 由Li阳离子和选自过氯酸盐和四氟硼酸盐的阴离子所组成的p-掺杂物，以及 该第一电洞传输层包括一子层，其中该电性掺杂物是以按重量计及/或按体积计超过该子层中另包含之其他成分的一总量的一含量包含於其中